https://youtu.be/i6o2BmbCH6I
1. 어떤 회사인가?
RFHIC는 유무선 통신용 Power Transistor 및 방산용 Power Amplifier의 제조 및 판매를 목적으로 1999년 8월 20일에 설립되었습니다.
GaN이라는 신소재를 이용한 무선 주파수(Radio Frequency, RF), 전력 증폭기(GaN 전력증폭기)를 개발했습니다.
해외 글로벌 경쟁사들이 기존 30여 년 동안 시장을 장악한 실리콘 기반 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)라는 소자에 집중할 때 높은 가격 때문에 군사용, 인공위성 등 제한된 용도로 사용하고 있는 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용하여 실리콘 기반 LDMOS와 경쟁할 수 있는 가격구조를 갖추게 되었습니다.
GaN 전력증폭기는 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 정도 높으며,
제품 크기는 최대 절반으로, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점이 있어 전 세계 기지국 시장에 확대 적용되고 있습니다.
RFHIC의 가장 큰 경쟁력은 국내에서 유일하게 GaN 트랜지스터를 생산하고 있다는 것입니다.
GaN on Diamond 소자를 사용한 고출력 반도체 전력증폭기를 개발하여 사업영역 확대하고 있습니다.
2. Radio Frequency(RF)
3khz ~ 300GHz 주파수를 갖는 전자기파(전자파)를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법으로
라디오, 디지털 위성방송, 무선이동통신, 무선 LAN 등 우리의 일상에서 밀접하게 사용되고 있으며,
나아가 군사용/기상용 레이더, 위성 통신 등 산업 전반에서 다양한 분야에 활용되고 있는 기술입니다.
RFHIC는 RF분야에서도 무선이동통신과 레이더 분야에 집중하고 있으며 화합물 반도체 소재를 사용한 제품을 생산 및 판매하고 있습니다.
3. 무선통신 사업부문
GaN 트랜지스터:
RFHIC당사에서 제작하는 GaN 트랜지스터는 약한 전기 신호를 크게 증폭하는 반도체 부품으로
소재의 특성으로 인하여 3GHz 이상의 고주파에서 특히 뛰어난 효율 및 성능을 발휘합니다.
GaN 트랜지스터는 무선통신시스템의 주요 구성요소인 이동통신 기지국 및 중계기의 송수신단에서 주로 사용되며, 레이더, 위성통신, 선박 등 다양한 분야에도 적용될 수 있습니다.
통신용 GaN 전력증폭기:
통신용 GaN 전력증폭기는 작은 사이즈의 기판 안에 입출력 정합(Matching)회로를 포함하여 사용자의 편리성을 극대화한 제품으로, 무전기와 같은 휴대용 무선통신, 5G Massive MIMO용 기지국, 초소형기지국, Point-to-Point 애플리케이션에 적용을 위해 개발되었습니다.
4. 방위산업 사업부문
레이더용 GaN 전력증폭기
레이더용 GaN 전력증폭기는 GaN 트랜지스터를 이용한 회로 기판으로 구성된 SSPA(Solid State Power Amplifier) 형태로 제작됩니다.
50V의 낮은 전압에서 동작하며 모듈 형태로 제작되어 기존 진공관(Magnetron, TWT, Klystron 등) 대비 효율이 우수하고 소형화에 유리한 특징을 가지고 있습니다.
5. 바이든 행정부 광대역 및 통신관련 정책
최근 바이든 통신 정책에 대한 기대감이 높습니다.
정부가 직접 광대역 인프라 투자에 나서고 5G 커버리지 확대를 통한 통신 네트워크 고도화 및 보편적 인터넷 서비스를 제공할 것이라고 밝히고 있기 때문입니다.
특히 3조원 보조금 지원을 통한 광대역인프라 확대는 가입자장비 업체들을 중심으로 해외 투자가들의5G 장비주에 대한 관심이 높아지는 계기가 될 전망입니다.
6. 10월 미국 주파수 경매 예정
FCC가 10/5일 5G용 3.45GHz`~3.55GHz 대역 총 100MHz주파수를 추가 할당할 예정입니다.
이에 따라 미국의 3~5GHz대역 주파수 공급은 400MHz 이상으로 확대될 전망입니다.
버라이즌의 경우엔 총 200MHz 이상의 5G 주파수 확보가 예상된다고 합니다.
5G 보급률이 확대되는 가운데 당장 활용이 가능한 6GHz미만 대역 주파수 공급이 늘어날 것으로 보여
버라이즌을 중심으로 하반기 미국 통신사들의 CAPEX 증대가 예상됩니다.
특히1분기 CAPEX 저조에 따른 향후 반등 폭이 클 전망입니다.
7. 신규사업
GaN on Diamond
기존 실리콘(Si) 기반의 글로벌 경쟁사에서 GaN 트랜지스터 개발 및 제품 출시를 준비하는 동안
보다 향상된 기술을 확보하기 위해 새로운 소재인 Diamond에 대한 연구를 진행하고 있습니다.
Diamond 웨이퍼 및 제조공정에 대한 원천기술을 확보하고 세계 최초로 GaN on Diamond 웨이퍼의 상용화를위하여 영국의 Element Six로부터 Diamond 웨이퍼 공정 및 설계 기술에 대한 지식재산권을 취득하였습니다.
5세대 이동통신 및 방위산업에서는 우수한 방열특성 및 높은 주파수가 필요합니다.
GaN on Diamond 소자를 개발 및 적용하면 최대 400GHz까지 동작 가능한 소자를 확보할 수 있습니다.
개발된 GaN on Diamond 소자는 5세대 이동통신뿐만 아니라 고출력 AESA(Active Electronically Scanned Array, 능동 전자주사식 위상배열) 레이더용 전력증폭기와 같은 방위산업 분야의 선점효과를 기대할 수 있습니다.
8. 신규산업
5G 이동통신부문입니다.
5세대 이동통신 구현에 핵심 기술 중 하나인 Massive MIMO(Massive Multi Input Multi Output)는 대용량의 데이터를 고속으로 전송하기 위해 다수의 안테나를 사용하여 무선데이터 전송 속도와 링크안정성을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기술입니다.
5세대 이동통신에 적합하도록 송수신 소자를 집적화한 제품이 Front-End Module 입니다.
송수신을 전환하는 RF스위치와 송신용 증폭기, 수신용 저잡음 증폭기를 모두 내장하고
소형화하였기 때문에 네트워크장비의 제조비용을 절감할 수 있으며 GaN 소자 특유의 고효율 성능으로 인해 유지비용이 낮아 소형기지국과 5G Massive MIMO용으로 많은 수요가 기대되는 제품입니다.
인공위성 부문입니다.
GaN 트랜지스터를 이용한 전력증폭기는 한층 더 보강된 높은 신뢰성과
긴 수명, 고효율, 낮은 전압에서 동작 등의 장점을 적극 활용하여 새롭게 변화하고 있는 위성 통신 분야의 많은 데이터량을 처리 하는데 적합한 제품입니다.
9. 매출, 차트
(유튜브 영상 참조)
10. 결론
(유튜브 영상 참조)